臺灣方晶科技FL8205S,SOT-23-6L封裝，雙N通道塑封功率MOSFET。

V(BR)DSS=20V,ID=5.0A

RDS(on)MAX：0.025 Ω @ 4.5V；0.030 Ω @ 2.5V

特征
晶體管功率MOSFET
優秀的RDS（on）
低柵電荷
高功率和電流處理能力
表面貼裝封裝

應用
電池保護
負荷開關
電源管理